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200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀采用四探針雙電組合測(cè)量方法測(cè)試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫箱結(jié)合配置高溫四探針測(cè)試探針治具與PC軟件對(duì)數(shù)據(jù)的處理和測(cè)量控制,解決半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率對(duì)溫度變化測(cè)量要求,軟件實(shí)時(shí)繪制出溫度與電阻,電阻率,電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線圖譜,及過程數(shù)據(jù)值的報(bào)表分析.
半自動(dòng)四探針觸屏測(cè)試儀晶圓、非晶硅/微晶硅和導(dǎo)電膜電阻率測(cè)量;選擇性發(fā)射極擴(kuò)散片;表面鈍化片;交叉指樣PN結(jié)擴(kuò)散片;新型電極設(shè)計(jì),如電鍍銅電阻測(cè)量等;半導(dǎo)體材料分析,鐵電材料,納米材料,太陽(yáng)能電池,LCD,OLED,觸摸屏等.
半自動(dòng)四探針觸屏測(cè)試儀晶圓、非晶硅/微晶硅和導(dǎo)電膜電阻率測(cè)量;選擇性發(fā)射極擴(kuò)散片;表面鈍化片;交叉指樣PN結(jié)擴(kuò)散片;新型電極設(shè)計(jì),如電鍍銅電阻測(cè)量等;半導(dǎo)體材料分析,鐵電材料,納米材料,太陽(yáng)能電池,LCD,OLED,觸摸屏等.
半自動(dòng)觸屏四探針測(cè)試儀晶圓、非晶硅/微晶硅和導(dǎo)電膜電阻率測(cè)量;選擇性發(fā)射極擴(kuò)散片;表面鈍化片;交叉指樣PN結(jié)擴(kuò)散片;新型電極設(shè)計(jì),如電鍍銅電阻測(cè)量等;半導(dǎo)體材料分析,鐵電材料,納米材料,太陽(yáng)能電池,LCD,OLED,觸摸屏等.
全自動(dòng)四探針電阻測(cè)試儀晶圓、非晶硅/微晶硅和導(dǎo)電膜電阻率測(cè)量;選擇性發(fā)射極擴(kuò)散片;表面鈍化片;交叉指樣PN結(jié)擴(kuò)散片;新型電極設(shè)計(jì),如電鍍銅電阻測(cè)量等;半導(dǎo)體材料分析,鐵電材料,納米材料,太陽(yáng)能電池,LCD,OLED,觸摸屏等.
全自動(dòng)四探針電阻測(cè)量測(cè)試儀四點(diǎn)探針法,全自動(dòng)化運(yùn)行測(cè)量系統(tǒng),PC軟件采集和數(shù)據(jù)處理;參照A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)方法測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率和方塊電阻;可設(shè)定探針壓力值、測(cè)試點(diǎn)數(shù)、多種測(cè)量模式選擇;真空環(huán)境,可顯示:方阻、電阻率、顯示2D,3D掃描/數(shù)值圖、溫濕度值、提供標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)電阻件.報(bào)表輸出數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析.